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GH4099/GH99

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GH4099/GH99 产品详细介绍:

热销高温合金GH4099薄板 GH4099带卷 gh4099板 gh99棒 国军标国标

 

 

GH4099(GH99)是一种高合金化的镍基时效板材合金,用钴、钨、和铝、钛等元素综合强化,使合金具有较高的热强行,900℃一下可以长期使用,最高工作温度可达1000℃。该合金组织稳定,并具有满意的冷热加工成型和焊接工艺性能,适合于制造航空发动机燃烧室和加力燃烧室等高温板材承力焊接结构件,用该合金制造的大型板材结构件,可在固溶处理后不经时效处理直接使用。

 

1、GH4099(GH99)概述

 

GH4099(GH99)热处理制度

 

板材经1140~1160℃,空冷处理;焊丝经1100~1140℃,空冷处理。

 

GH4099(GH99)品种规格与状态

 

供应δ0.8~4.0mm的冷轧薄板;d0.2~10mm的冷拉丝材,d8~350mm锻材,均固溶处理和碱酸洗后供应。

 

GH4099(GH99)熔炼与铸造工艺

 

合金采用真空感应炉加电渣重熔工艺生产。

 

GH4099(GH99)应用概况与特殊要求

 

用该合金板材制成的航空发动机加力可调喷口壳体,已经过长期使用考核,并投入批量生产,可减轻发动机重量和延长寿命。

 

1.1、材料牌号

 

GH4099(GH99)

 

1.2、GH4099(GH99)

 

相近牌号ЭП693,ХН68МВКТЮР(俄罗斯)

 

1.3、GH4099(GH99) 材料的技术标准

 

GJB 1952-1994《航空用高温合金冷轧薄板规范》

 

GB 5333-1985《航空用HGH99合金焊丝技术条件》

 

BZ 44-903B-06《GH99合金冷轧薄板技术条件》(抚顺钢厂企标)

 

1.4、GH4099(GH99) 化学成分

 

1-1

 

C

Cr

Ni

W

Mo

Al

Co

Ti

≤0.08

17.00~20.0

余量

5.00~7.00

3.50~4.50

1.70~2.40

5.00~8.00

1.00~1.50

 

 

 

Fe

B

Mg

Ce

Mn

Si

P

S

≤2.00

≤0.005

≤0.010

≤0.020

≤0.40

≤0.50

≤0.015

≤0.015

 

注:B、Ce按计算量加入。

 

2、GH4099(GH99) 物理及化学性能

 

2.1、GH4099(GH99) 热性能

 

2.1.1、GH4099(GH99)熔化温度范围1345~1390℃

 

2.1.2、GH4099(GH99)热导率见表2-1。

 

2-1

 

θ/℃

100

200

300

400

500

600

700

800

900

1000

λ/(W/(m·C))

10.47

12.56

14.24

15.91

18.00

19.68

21.77

23.45

25.54

27.21

 

2.1.3、GH4099(GH99)线膨胀系数见表2-2。

 

2-2

 

θ/℃

20~100

20~200

20~300

20~400

20~500

20~600

20~700

20~800

20~900

20~1000

α/10-6C-1

12.0

12.4

12.8

13.0

13.7

14.2

14.7

15.1

15.3

17.4

 

2.1.4热扩散率见表2-3

 

2-3

 

θ/℃

10

100

200

300

400

500

600

700

800

900

Q/(10-6m2/S))

2.5

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.0

4.3

4.4

4.55

 

2.2、GH4099(GH99) 密度

 

ρ=8.47g/cm3

 

2.3、GH4099(GH99) 电性阻率

 

2-4

 

θ/℃

14

110

200

300

400

500

600

700

800

900

1000

ρ/(10-6Ω.M))

1.373

1.403

1.414

1.427

1.440

1.443

1.457

1.452

1.423

1.393

1.357

 

2.4、GH4099(GH99)磁能型合金无磁性

 

2.5、GH4099(GH99) 化学性能

 

2.5.1、GH4099(GH99)抗氧化性能

 

2.5.1.1、GH4099(GH99)合金在空气介质中试验100h的氧化速率和晶界氧化深度见表2-6。

 

2-6

 

θ/℃

800

900

1000

1010

氧化速率/(g/m2·h)

0.017

0.084

0.212

0.481

晶界氧化深度/mm

0

0.0064~0.0086

0.0160~0.0192

0.0288~0.0320

 

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